Caractérisation du dopage de dispositifs de puissance en 4H-SiC par KPFM et spectroscopie µ-Raman - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Caractérisation du dopage de dispositifs de puissance en 4H-SiC par KPFM et spectroscopie µ-Raman

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
KPFM-Raman_Forum_microscopie_sonde_locale.pdf (2.29 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Licence
Paternité

Enora Vuillermet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04171760

Soumis le : mercredi 26 juillet 2023-17:07:58

Dernière modification le : vendredi 12 janvier 2024-16:45:19

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-04171760 , version 1 (26-07-2023)

Licence

Paternité

Identifiants

  • HAL Id : hal-04171760 , version 1

Citer

Anaël Sédilot, Enora Marion Vuillermet, Régis Deturche, Elise Usureau, Jérémie Béal, et al.. Caractérisation du dopage de dispositifs de puissance en 4H-SiC par KPFM et spectroscopie µ-Raman. 24ème Forum des microscopies à sonde locale, Apr 2023, Obernai, France. ⟨hal-04171760⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS URCA LRN UTT RENATECH
45 Consultations
38 Téléchargements

Partager

More