Caractérisation du dopage de dispositifs de puissance en 4H-SiC par KPFM et spectroscopie µ-Raman
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Soumis le : mercredi 26 juillet 2023-17:07:58
Dernière modification le : jeudi 27 février 2025-03:39:43