Structural and electrical characterization of niobium dioxide thin films presenting a metal-to-insulator transition - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2023

Structural and electrical characterization of niobium dioxide thin films presenting a metal-to-insulator transition

Domaines

Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Aurelian CRUNTEANU  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04168577

Soumis le : vendredi 21 juillet 2023-17:26:30

Dernière modification le : vendredi 11 octobre 2024-14:50:43

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04168577 , version 1 (21-07-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04168577 , version 1

Citer

Eduard-Nicolae Sirjita, Alexandre Boulle, Richard Mayet, Jean-Christophe Orlianges, Aurelian Crunteanu. Structural and electrical characterization of niobium dioxide thin films presenting a metal-to-insulator transition. 11th International Conference on Materials for Advanced Technologies -ICMAT 2023, 26th- 30th June 2023, Singapore, Jun 2023, Singapour, Singapore. Proceedings ICMAT 2023. ⟨hal-04168577⟩

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