Dans une optique de miniaturisation des convertisseurs de puissance, la conversion d'énergie dans la bande des très hautes fréquences (30 MHz-300 MHz) suscite un intérêt croissant dans les milieux académiques et industriels. A ces fréquences, il est primordial de prendre en compte, dès la phase de conception, les éléments parasites qui interviennent dans les circuits de commande et de puissance. Cette étude se focalise sur le dimensionnement, la conception et la modélisation de la maille de grille d'un Transistor à Haute Mobilité Electronique en Nitrure de Gallium (GaN HEMT). Deux drivers du marché, capables de commuter le transistor jusqu'à des fréquences de 55 MHz et 75 MHz, sont caractérisés sur une charge capacitive équivalente de 260 pF. Enfin, le GaN HEMT est testé dans un circuit de type "double pulse" pour analyser l'impact d'une tension drain-source non nulle (jusqu'à 20 V) sur la forme de la tension grille-source.