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Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Développement de fonctionnalités rapides, précises et intégrées CMOS, pour la commutation optimale et la protection interne des onduleurs à module SiC MOSFET

Résumé

RESUME-Les modules à base de MOSFET SiC sont désormais disponibles sur une large gamme de tension et courants. Ils sont intrinsèquement performants. Cet article présente un focus sur deux verrous majeurs associés à la commutation optimale et la protection interne de ces modules : la détection intégrée rapide de court-circuit par la mesure de la charge de grille, et la gestion optimale et adaptative du temps mort par l'observation du circuit de commande rapprochée.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04157854 , version 1 (10-07-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04157854 , version 1

Citer

Anas Elboubkari, Matthieu Masson, Nicolas C. Rouger, Marc Cousineau, Frédéric Richardeau, et al.. Développement de fonctionnalités rapides, précises et intégrées CMOS, pour la commutation optimale et la protection interne des onduleurs à module SiC MOSFET. SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2023), Jul 2023, Lille, France. ⟨hal-04157854⟩
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