Développement de fonctionnalités rapides, précises et intégrées CMOS, pour la commutation optimale et la protection interne des onduleurs à module SiC MOSFET
Résumé
RESUME-Les modules à base de MOSFET SiC sont désormais disponibles sur une large gamme de tension et courants. Ils sont intrinsèquement performants. Cet article présente un focus sur deux verrous majeurs associés à la commutation optimale et la protection interne de ces modules : la détection intégrée rapide de court-circuit par la mesure de la charge de grille, et la gestion optimale et adaptative du temps mort par l'observation du circuit de commande rapprochée.
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)