Courts-circuits répétitifs non-destructifs sur des transistors HEMT-GaN 650 V - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Courts-circuits répétitifs non-destructifs sur des transistors HEMT-GaN 650 V

Résumé

L'étude consiste à analyser la robustesse des composants HEMT GaN 650 V vis-à-vis des courts-circuits. L'objectif est d'appliquer des courts-circuits répétitifs et non destructifs sur un composant pour évaluer les dégradations éventuelles. Des caractérisations électriques sont effectuées avant et après les cycles de courts-circuits afin d'identifier d'éventuelle variation de certains paramètres dudit composant, cela afin d'identifier les mécanismes de défaillance.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04150168 , version 1 (04-07-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04150168 , version 1

Citer

Adrien Lambert, Hervé Morel, D. Tournier, Dominique Planson, Luong Viêt Phung, et al.. Courts-circuits répétitifs non-destructifs sur des transistors HEMT-GaN 650 V. 5ème Symposium de Génie Electrique (SGE 2023), Jul 2023, Lille, France. ⟨hal-04150168⟩
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