Courts-circuits répétitifs non-destructifs sur des transistors HEMT-GaN 650 V
Résumé
L'étude consiste à analyser la robustesse des composants HEMT GaN 650 V vis-à-vis des courts-circuits. L'objectif est d'appliquer des courts-circuits répétitifs et non destructifs sur un composant pour évaluer les dégradations éventuelles. Des caractérisations électriques sont effectuées avant et après les cycles de courts-circuits afin d'identifier d'éventuelle variation de certains paramètres dudit composant, cela afin d'identifier les mécanismes de défaillance.
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)