L'interaction entre la supraconductivité et le désordre génère une multitude de phénomènes complexes. En particulier, la structure particulière des fonctions d'onde électroniques diffusives est censée augmenter la température critique supraconductrice dans une certaine gamme de désordre. Dans ce travail, nous utilisons une monocouche épitaxiale de plomb présentant une structure de bande simple et un désordre structurel homogène comme système modèle d'un supraconducteur bidimensionnel dans le régime d'antilocalisation faible. Nous réalisons ensuite une étude approfondie des fluctuations émergentes de la densité locale d'états (LDOS) et de l'écart énergétique spectral dans ce matériau et les comparons à la fois aux résultats analytiques et à la solution numérique du modèle de Hubbard attractif. Nous montrons que les fluctuations mésoscopiques de la LDOS nous permettent de sonder localement les taux de diffusion élastique et inélastique, qui sont notoirement difficiles à mesurer dans les mesures de transport.