Properties of Ga1-xMnxN epilayers grown by molecular beam epitaxy - Archive ouverte HAL
Proceedings/Recueil Des Communications Année : 2005

Properties of Ga1-xMnxN epilayers grown by molecular beam epitaxy

S. Marcet
  • Fonction : Auteur
E. Bellet Amalric
X. Biquard
C. Bougerol
Joel Cibert
David Ferrand
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1041540
Romain Giraud
Erkin Kulatov
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 944031
H. Mariette
Andrey Titov
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 944027
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04069952 , version 1 (14-04-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04069952 , version 1

Citer

S. Marcet, E. Bellet Amalric, X. Biquard, C. Bougerol, Joel Cibert, et al.. Properties of Ga1-xMnxN epilayers grown by molecular beam epitaxy. 772, pp.365, 2005, AIP Conference Proceedings. ⟨hal-04069952⟩
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