CONFERENCE INVITEE : "Croissance de l’AlN/AlNO sur silicium par PVD : bons candidats pour la dissipation thermique et la passivation électronique des jonctions photovoltaïques" - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

CONFERENCE INVITEE : "Croissance de l’AlN/AlNO sur silicium par PVD : bons candidats pour la dissipation thermique et la passivation électronique des jonctions photovoltaïques"

Résumé

Au fur et à mesure du développement des différentes architectures de cellules photovoltaïques, la passivation du silicium s’est révélée être une amélioration clé des performances[1]. Dans les années 2010, l’évolution des recherches amène les dispositifs constitués de couches minces. On observe alors une diminution des efficacités avec la diminution des épaisseurs (< 200 microns)[1]. Les rapports surface sur volume pour du silicium cristallin sont désormais tels que les recombinaisons des porteurs de charge en surface avant et arrière deviennent limitantes avec une forte diminution des durées de vie des porteurs. Après avoir fait un tour d’horizon des matériaux étudiés et utilisés pour la passivation du silicium, on présentera les diverses propriétés du nitrure d’aluminium. L’AlN est en effet un excellent candidat. Son gap indirect implique d’une part des recombinaisons radiatives très rares. D’autre part, sa conductivité thermique proche de celle du cuivre pourrait favoriser les évacuations de chaleur. Il faut rappeler que l’échauffement des dispositifs est un facteur important de dégradation des performances. Non seulement les fortes températures dégradent les efficacités solaires des modules mais elles détériorent aussi les caractéristiques des éléments polymères des dispositifs[2]. Pour tenter d’y remédier, les matériaux d’encapsulation (dits ‘’packaging’’) doivent ainsi être capables d’évacuer au plus vite la chaleur. Lors de l’exposé, plusieurs variétés de microstructures AlN/AlNO accessibles grâce à la pulvérisation cathodique magnétron seront présentées [3]. In fine, l’évaluation de leur potentiel de passivation sur du silicium n et p sera présenté. Références 1. A. G. Aberle, Progress in Photovoltaics: Research and Applications 8, 473 (2000). 2. E. Tejeda Zacarias, Techn. Ing. K736 V1, (2022). 3. V. Brien and P. Pigeat, Journal of Crystal Growth 310, 3890 (2008).
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04042608 , version 1 (23-03-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04042608 , version 1

Citer

Valerie Brien, L. Thiebaud, R. Cabal. CONFERENCE INVITEE : "Croissance de l’AlN/AlNO sur silicium par PVD : bons candidats pour la dissipation thermique et la passivation électronique des jonctions photovoltaïques". COFMER 04, 4ème édition du colloque Franco-Marocain sur les énergies renouvelables, May 2023, Kenitra (on line), Maroc. ⟨hal-04042608⟩
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