Performance improvement with non-alloyed ohmic contacts technology on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 6H-SiC substrate - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Performance improvement with non-alloyed ohmic contacts technology on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 6H-SiC substrate

Marie Lesecq
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Puissance - IEMN
Y. Fouzi
  • Fonction : Auteur
A. Abboud
  • Fonction : Auteur
N. Defrance
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Puissance - IEMN
Francois Vaurette
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN
Saliha Ouendi
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN
Etienne Okada
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M. Portail
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
M. Bah
  • Fonction : Auteur
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)
Daniel Alquier
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)
J.C. Dejaeger
Puissance - IEMN
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
E. Frayssinet
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Yvon Cordier
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-04039596

Soumis le : mardi 21 mars 2023-15:34:02

Dernière modification le : mardi 17 septembre 2024-18:28:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04039596 , version 1 (21-03-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04039596 , version 1

Citer

Marie Lesecq, Y. Fouzi, A. Abboud, N. Defrance, Francois Vaurette, et al.. Performance improvement with non-alloyed ohmic contacts technology on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 6H-SiC substrate. European Materials Research Society 2022 Fall meeting, (E-MRS 2022), Sep 2022, Warsaw, Poland. ⟨hal-04039596⟩

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