Development of AlGaN/GaN RF HEMT technology on free-standing GaN substrate - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Development of AlGaN/GaN RF HEMT technology on free-standing GaN substrate

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-04039402

Soumis le : mardi 21 mars 2023-14:41:39

Dernière modification le : vendredi 1 mars 2024-18:20:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04039402 , version 1 (21-03-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04039402 , version 1

Citer

M.R. Irekti, Marie Lesecq, N. Defrance, M. Boucherta, Eric Frayssinet, et al.. Development of AlGaN/GaN RF HEMT technology on free-standing GaN substrate. 43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, Cabourg, France. ⟨hal-04039402⟩

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