AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications

T-H. Ngo
  • Fonction : Auteur
M. Abou Daher
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04038119 , version 1 (20-03-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04038119 , version 1

Citer

Marie Lesecq, E. Frayssinet, Marc Portail, M Bah, N. Defrance, et al.. AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications. 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020), Oct 2021, Tours, France. ⟨hal-04038119⟩
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