Coherent Manipulation with Resonant Excitation and Single Emitter Creation of Nitrogen Vacancy Centers in 4H Silicon Carbide - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Nano Letters Année : 2020

Coherent Manipulation with Resonant Excitation and Single Emitter Creation of Nitrogen Vacancy Centers in 4H Silicon Carbide

Zhao Mu
  • Fonction : Auteur
Soroush Abbasi Zargaleh
  • Fonction : Auteur
Hans Jürgen von Bardeleben
Institut des Nanosciences de Paris
Johannes Fröch
Milad Nonahal
  • Fonction : Auteur
Hongbing Cai
  • Fonction : Auteur
Xinge Yang
  • Fonction : Auteur
Jianqun Yang
  • Fonction : Auteur
Xingji Li
  • Fonction : Auteur
Igor Aharonovich
Weibo Gao

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.science/hal-04021141

Soumis le : jeudi 9 mars 2023-11:38:43

Dernière modification le : jeudi 12 décembre 2024-03:46:29

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Dates et versions

hal-04021141 , version 1 (09-03-2023)

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Citer

Zhao Mu, Soroush Abbasi Zargaleh, Hans Jürgen von Bardeleben, Johannes Fröch, Milad Nonahal, et al.. Coherent Manipulation with Resonant Excitation and Single Emitter Creation of Nitrogen Vacancy Centers in 4H Silicon Carbide. Nano Letters, 2020, 20 (8), pp.6142-6147. ⟨10.1021/acs.nanolett.0c02342⟩. ⟨hal-04021141⟩

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