Article Dans Une Revue
Nano Letters
Année : 2020
Ian Vickridge : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04021141
Soumis le : jeudi 9 mars 2023-11:38:43
Dernière modification le : samedi 7 octobre 2023-21:36:23
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04021141 , version 1
- ARXIV : 2002.02613
- DOI : 10.1021/acs.nanolett.0c02342
Citer
Zhao Mu, Soroush Abbasi Zargaleh, Hans Jürgen von Bardeleben, Johannes Fröch, Milad Nonahal, et al.. Coherent Manipulation with Resonant Excitation and Single Emitter Creation of Nitrogen Vacancy Centers in 4H Silicon Carbide. Nano Letters, 2020, 20 (8), pp.6142-6147. ⟨10.1021/acs.nanolett.0c02342⟩. ⟨hal-04021141⟩
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