Carbon vacancy-related centers in 3 C -silicon carbide: Negative- U properties and structural transformation - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 2020

Carbon vacancy-related centers in 3 C -silicon carbide: Negative- U properties and structural transformation

H. von Bardeleben
Institut des Nanosciences de Paris
E. Rauls
  • Fonction : Auteur
U. Gerstmann

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.science/hal-04021125

Soumis le : jeudi 9 mars 2023-11:32:54

Dernière modification le : lundi 15 juillet 2024-15:34:30

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Dates et versions

hal-04021125 , version 1 (09-03-2023)

Identifiants

Citer

H. von Bardeleben, E. Rauls, U. Gerstmann. Carbon vacancy-related centers in 3 C -silicon carbide: Negative- U properties and structural transformation. Physical Review B, 2020, 101 (18), pp.184108. ⟨10.1103/PhysRevB.101.184108⟩. ⟨hal-04021125⟩

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