Deep and shallow electronic states associated to doping, contamination and intrinsic defects in ε-Ga2O3 epilayers - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2022

Deep and shallow electronic states associated to doping, contamination and intrinsic defects in ε-Ga2O3 epilayers

Antonella Parisini
  • Fonction : Auteur
Alessio Bosio
  • Fonction : Auteur
Hans Jurgen von Bardeleben
Institut des Nanosciences de Paris
Juan Jimenez
  • Fonction : Auteur
Shabnam Dadgostar
  • Fonction : Auteur
Maura Pavesi
  • Fonction : Auteur
Andrea Baraldi
  • Fonction : Auteur
Salvatore Vantaggio
  • Fonction : Auteur
Roberto Fornari
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.science/hal-04021039

Soumis le : jeudi 9 mars 2023-11:09:13

Dernière modification le : samedi 7 octobre 2023-21:36:23

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Citer

Antonella Parisini, Alessio Bosio, Hans Jurgen von Bardeleben, Juan Jimenez, Shabnam Dadgostar, et al.. Deep and shallow electronic states associated to doping, contamination and intrinsic defects in ε-Ga2O3 epilayers. Materials Science in Semiconductor Processing, 2022, 138 (3), pp.106307. ⟨10.1016/j.mssp.2021.106307⟩. ⟨hal-04021039⟩

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