Investigation of lasing in highly strained germanium at the crossover to direct band gap
F. Armand Pilon
(1)
,
Y-M. Niquet
(2, 3, 4)
,
J. Chretien
(5)
,
N. Pauc
(5)
,
V. Reboud
(6)
,
V. Calvo
(5)
,
J. Widiez
(6)
,
J. Hartmann
(6)
,
A. Chelnokov
(6)
,
J. Faist
(7)
,
H. Sigg
(1)
1
PSI -
Paul Scherrer Institute
2 IRIG - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble
3 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
4 MEM - Modélisation et Exploration des Matériaux
5 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
6 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
7 ETH Zürich - Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
2 IRIG - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble
3 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
4 MEM - Modélisation et Exploration des Matériaux
5 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
6 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
7 ETH Zürich - Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
F. Armand Pilon
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1233994
- ORCID : 0000-0001-6341-1200
Y-M. Niquet
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1173363
- ORCID : 0000-0002-1846-1396
J. Widiez
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1233995
- ORCID : 0000-0003-2172-6313