Atmospheric pressure plasma for deposition of hydrogenated silicon nitride SiNx:H films for photovoltaic application - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Atmospheric pressure plasma for deposition of hydrogenated silicon nitride SiNx:H films for photovoltaic application

S. Pouliquen
  • Fonction : Auteur
Institut Français de Recherche pour l'Exploitation de la Mer
J. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Institut Européen des membranes
Nicolas Naudé
Matériaux et Procédés Plasmas
CV
S. Quoizola
  • Fonction : Auteur
P. Lecouvreur
  • Fonction : Auteur
C. Picard
  • Fonction : Auteur
Danone Research
Nicolas Gherardi
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1248560
  • IdRef : 119074427
LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie
R. Monna
  • Fonction : Auteur
D. Jahan
  • Fonction : Auteur
Françoise F. Massines
Procédés, Matériaux et Energie Solaire

Domaines

Plasmas

Karine Pistre  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03988379

Soumis le : mardi 14 février 2023-13:54:15

Dernière modification le : vendredi 18 octobre 2024-13:44:03

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Dates et versions

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Identifiants

  • HAL Id : hal-03988379 , version 1

Citer

S. Pouliquen, J. Larrieu, Nicolas Naudé, S. Quoizola, P. Lecouvreur, et al.. Atmospheric pressure plasma for deposition of hydrogenated silicon nitride SiNx:H films for photovoltaic application. EPVSEC: 23e Conférence européenne sur l'énergie photovoltaique, Valence, SPAIN, 2008, Valence, Spain. ⟨hal-03988379⟩

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