Correlations between DCR and PDP of SPAD integrated in a 28 nm FD-SOI CMOS Technology - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2023

Correlations between DCR and PDP of SPAD integrated in a 28 nm FD-SOI CMOS Technology

Shaochen Gao Gao
  • Fonction : Auteur
Dylan Issartel
  • Fonction : Auteur
Mohammadreza Dolatpoor Lakeh
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1099859
Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie
Fabien Mandorlo
  • Fonction : Auteur
Régis Orobtchouk
  • Fonction : Auteur
Jean-Baptiste Kammerer
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1086365
Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie
Andreia Cathelin
  • Fonction : Auteur
Dominique Golanski
  • Fonction : Auteur
Wilfried Uhring
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1062695
Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie
Francis Calmon
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-03977945

Soumis le : mardi 7 février 2023-23:01:44

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03977945 , version 1 (07-02-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03977945 , version 1

Citer

Shaochen Gao Gao, Dylan Issartel, Mohammadreza Dolatpoor Lakeh, Fabien Mandorlo, Régis Orobtchouk, et al.. Correlations between DCR and PDP of SPAD integrated in a 28 nm FD-SOI CMOS Technology. 2023, International Image Sensor Workshop (IISW), Crieff, United Kingdom, 21-25 May, 2023, May 2023, Crieff, United Kingdom. 2023. ⟨hal-03977945⟩

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