Front and back channels coupling and transport on 28 nm FD-SOI MOSFETs down to liquid-He temperature
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Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2021
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https://hal.science/hal-03975016
Soumis le : mardi 13 juin 2023-14:32:52
Dernière modification le : dimanche 22 décembre 2024-11:15:09
Archivage à long terme le : jeudi 14 septembre 2023-19:31:55
Dates et versions
Licence
Identifiants
- HAL Id : hal-03975016 , version 1
- DOI : 10.1016/j.sse.2021.108071
- PII : S0038-1101(21)00116-7
Citer
Bruna Cardoso Paz, Mikaël Cassé, Sebastien Haendler, Andre Juge, Emmanuel Vincent, et al.. Front and back channels coupling and transport on 28 nm FD-SOI MOSFETs down to liquid-He temperature. Solid-State Electronics, 2021, 186, pp.108071. ⟨10.1016/j.sse.2021.108071⟩. ⟨hal-03975016⟩
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