Front and back channels coupling and transport on 28 nm FD-SOI MOSFETs down to liquid-He temperature - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2021

Front and back channels coupling and transport on 28 nm FD-SOI MOSFETs down to liquid-He temperature

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hal-03975016 , version 1 (13-06-2023)

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Paternité - Pas d'utilisation commerciale

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Citer

Bruna Cardoso Paz, Mikaël Cassé, Sebastien Haendler, Andre Juge, Emmanuel Vincent, et al.. Front and back channels coupling and transport on 28 nm FD-SOI MOSFETs down to liquid-He temperature. Solid-State Electronics, 2021, 186, pp.108071. ⟨10.1016/j.sse.2021.108071⟩. ⟨hal-03975016⟩
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