Modeling and simulations of FDSOI five-gate qubit MOS devices down to deep cryogenic temperatures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2022

Modeling and simulations of FDSOI five-gate qubit MOS devices down to deep cryogenic temperatures

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03974993 , version 1 (06-02-2023)

Identifiants

Citer

E. Catapano, A. Aprà, M. Cassé, F. Gaillard, S. de Franceschi, et al.. Modeling and simulations of FDSOI five-gate qubit MOS devices down to deep cryogenic temperatures. Solid-State Electronics, 2022, 193, pp.108291. ⟨10.1016/j.sse.2022.108291⟩. ⟨hal-03974993⟩
19 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More