Modeling and simulations of FDSOI five-gate qubit MOS devices down to deep cryogenic temperatures
E. Catapano
(1, 2)
,
A. Aprà
(3)
,
M. Cassé
(1)
,
F. Gaillard
(1)
,
S. de Franceschi
(4)
,
Tristan Meunier
(5)
,
M. Vinet
(1)
,
G. Ghibaudo
(2)
1
CEA-LETI -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 PHELIQS - PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS
4 LaTEQS - Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité
5 NEEL - QuantECA - Circuits électroniques quantiques Alpes
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 PHELIQS - PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS
4 LaTEQS - Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité
5 NEEL - QuantECA - Circuits électroniques quantiques Alpes
E. Catapano
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1223993
- ORCID : 0000-0002-8925-3164
Tristan Meunier
- Fonction : Auteur
- PersonId : 742176
- IdHAL : tristan-meunier