Modeling and simulations of FDSOI five-gate qubit MOS devices down to deep cryogenic temperatures - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2022

Modeling and simulations of FDSOI five-gate qubit MOS devices down to deep cryogenic temperatures

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

Eva Monroy  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03974993

Soumis le : lundi 6 février 2023-12:14:39

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-18:15:44

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03974993 , version 1 (06-02-2023)

Identifiants

Citer

E. Catapano, A. Aprà, M. Cassé, F. Gaillard, S. de Franceschi, et al.. Modeling and simulations of FDSOI five-gate qubit MOS devices down to deep cryogenic temperatures. Solid-State Electronics, 2022, 193, pp.108291. ⟨10.1016/j.sse.2022.108291⟩. ⟨hal-03974993⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UNIV-SAVOIE UGA CNRS NEEL IMEP-LAHC DRT LETI IRIG CEA-GRE ANR PHELIQS CROMA
27 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More