RF performances at cryogenic temperature of inductors integrated in a FDSOI technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2022

RF performances at cryogenic temperature of inductors integrated in a FDSOI technology

Fichier principal
Vignette du fichier
S0038110122000570.pdf (662.57 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03974983 , version 1 (22-07-2024)

Licence

Identifiants

Citer

Quentin Berlingard, Jose Lugo-Alvarez, Lauriane Contamin, Cédric Durand, Philippe Galy, et al.. RF performances at cryogenic temperature of inductors integrated in a FDSOI technology. Solid-State Electronics, 2022, 194, pp.108285. ⟨10.1016/j.sse.2022.108285⟩. ⟨hal-03974983⟩
45 Consultations
9 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Mastodon Facebook X LinkedIn More