Etude de l'effet du piégeage sur les caractéristiques des composants AlGaN/GaN
Résumé
Le développement des composants en nitrure de gallium (GaN) est l'un des progrès les plus notables dans l'électronique de puissance et pour les applications à haute fréquence. Il en est de même pour autres technologies de semiconducteurs à large bande interdite telles que le carbure de silicium. Néanmoins, les composants GaN ne sont pas encore totalement fiables surtout à cause du phénomène de piégeage qui affecte les caractéristiques statiques des composants GaN dont la résistance à l'état passant. Cette étude vise à identifier l'influence des pièges localisés dans des différentes régions de la structure des dispositifs GaN, sur le courant et la résistance dynamique (Rdyn) à l'état passant des dispositifs à base d'un canal 2DEG (Two Dimensional Electron Gas), comme les diodes Schottky AlGaN/GaN et des transistors HEMT. Elle s'appuie sur des simulations par éléments finis avec le logiciel Sentaurus TCAD. Nos résultats ont montré une dégradation majeure de la résistance dynamique à partir des concentrations des pièges de 10 18 cm-3 localisés dans la couche GaN Channel et AlGaN. En outre, Rdyn varie en fonction de l'énergie d'activation des pièges. Concernant les pièges localisés à l'interface AlGaN/GaN, Rdyn varie fortement à partir d'une concentration de 10 12 cm-2.
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