Study of AlxGa1-xN/AlN quantum dots in the whole compositional range as potential sources of far UVC for disinfection - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Study of AlxGa1-xN/AlN quantum dots in the whole compositional range as potential sources of far UVC for disinfection

Anjali Harikumar
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
Fabrice Donatini
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 955802
Optique & Microscopies
Edith Bellet-Amalric
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
C. Bougerol
Nanophysique et Semiconducteurs
Christophe Dujardin
iLM - Luminescence
Stephen Purcell
  • Fonction : Auteur
iLM - Physique des nanostructures et émission de champ
Eva Monroy
Nanophysique et Semiconducteurs

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-03944503

Soumis le : mercredi 18 janvier 2023-10:00:54

Dernière modification le : lundi 16 décembre 2024-15:39:14

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Dates et versions

hal-03944503 , version 1 (18-01-2023)

Identifiants

Citer

Anjali Harikumar, Fabrice Donatini, Edith Bellet-Amalric, C. Bougerol, Christophe Dujardin, et al.. Study of AlxGa1-xN/AlN quantum dots in the whole compositional range as potential sources of far UVC for disinfection. Gallium Nitride Materials and Devices XVII, Jan 2022, San Francisco CA, United States. pp.42, ⟨10.1117/12.2607614⟩. ⟨hal-03944503⟩

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