1T-NOR Flash memory after endurance degradation: An advanced TCAD simulation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

1T-NOR Flash memory after endurance degradation: An advanced TCAD simulation

F. Matteo
  • Fonction : Auteur
R. Simola
  • Fonction : Auteur
K. Coulié
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03941212 , version 1 (16-01-2023)

Identifiants

Citer

F. Matteo, R. Simola, J. Postel-Pellerin, K. Coulié. 1T-NOR Flash memory after endurance degradation: An advanced TCAD simulation. European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Sep 2022, Berlin, Germany. pp.114621, ⟨10.1016/j.microrel.2022.114621⟩. ⟨hal-03941212⟩
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