EEPROM endurance degradation at different temperatures: State of the art TCAD simulation - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2022

EEPROM endurance degradation at different temperatures: State of the art TCAD simulation

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Jérémy Postel-Pellerin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03941108

Soumis le : mercredi 22 mars 2023-16:36:05

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

Archivage à long terme le : vendredi 23 juin 2023-21:15:44

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hal-03941108 , version 1 (22-03-2023)

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Citer

Franck Matteo, Karine Coulié, Roberto Simola, Jérémy Postel-Pellerin, Franck Melul, et al.. EEPROM endurance degradation at different temperatures: State of the art TCAD simulation. Microelectronics Reliability, 2022, 136, pp.114717. ⟨10.1016/j.microrel.2022.114717⟩. ⟨hal-03941108⟩

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