Fabrication of high-performance Al/sub x/Ga/sub 1-x/As/In/sub y/Ga/sub 1-y/As/GaAs resonant tunneling diodes using a microwave-compatible technology - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 1991

Fabrication of high-performance Al/sub x/Ga/sub 1-x/As/In/sub y/Ga/sub 1-y/As/GaAs resonant tunneling diodes using a microwave-compatible technology

D. Lippens
  • Fonction : Auteur
E. Barbier
  • Fonction : Auteur
Patrick Mounaix
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines

Physique [physics]

Patrick Mounaix  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03932654

Soumis le : mardi 10 janvier 2023-12:27:44

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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hal-03932654 , version 1 (10-01-2023)

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Citer

D. Lippens, E. Barbier, Patrick Mounaix. Fabrication of high-performance Al/sub x/Ga/sub 1-x/As/In/sub y/Ga/sub 1-y/As/GaAs resonant tunneling diodes using a microwave-compatible technology. IEEE Electron Device Letters, 1991, 12 (3), pp.114-116. ⟨10.1109/55.75738⟩. ⟨hal-03932654⟩

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