Nitrogen split interstitial center ( N − N ) N in GaN: High frequency EPR and ENDOR study - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 2014

Nitrogen split interstitial center ( N − N ) N in GaN: High frequency EPR and ENDOR study

H. von Bardeleben
Jean-Louis Cantin
Couches nanométriques : formation, interfaces, défauts
H. Vrielinck
  • Fonction : Auteur
F. Callens
  • Fonction : Auteur
L. Binet
  • Fonction : Auteur
E. Rauls
  • Fonction : Auteur
U. Gerstmann
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Jean-Louis Cantin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03925252

Soumis le : jeudi 5 janvier 2023-15:29:41

Dernière modification le : lundi 15 juillet 2024-15:34:30

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hal-03925252 , version 1 (05-01-2023)

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Citer

H. von Bardeleben, Jean-Louis Cantin, H. Vrielinck, F. Callens, L. Binet, et al.. Nitrogen split interstitial center ( N − N ) N in GaN: High frequency EPR and ENDOR study. Physical Review B, 2014, 90 (8), pp.085203. ⟨10.1103/PhysRevB.90.085203⟩. ⟨hal-03925252⟩

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