Characterization and formation of NV centers in 3 C , 4 H , and 6 H SiC: An ab initio study - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 2017

Characterization and formation of NV centers in 3 C , 4 H , and 6 H SiC: An ab initio study

A. Csóré
  • Fonction : Auteur
H. von Bardeleben
  • Fonction : Auteur
Jean-Louis Cantin
A. Gali
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03925079 , version 1 (05-01-2023)

Identifiants

Citer

A. Csóré, H. von Bardeleben, Jean-Louis Cantin, A. Gali. Characterization and formation of NV centers in 3 C , 4 H , and 6 H SiC: An ab initio study. Physical Review B, 2017, 96 (8), pp.085204. ⟨10.1103/PhysRevB.96.085204⟩. ⟨hal-03925079⟩
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