Synthesis of relaxed Ge0.9Sn0.1/Ge by nanosecond pulsed laser melting - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 2023

Synthesis of relaxed Ge0.9Sn0.1/Ge by nanosecond pulsed laser melting

Domaines

Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sébastien Duguay  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03885778

Soumis le : mardi 6 décembre 2022-08:37:08

Dernière modification le : mercredi 11 décembre 2024-03:42:48

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Dates et versions

hal-03885778 , version 1 (06-12-2022)

Identifiants

Citer

Enrico Di Russo, Francesco Sgarbossa, Pierpaolo Ranieri, Gianluigi Maggioni, Samba Ndiaye, et al.. Synthesis of relaxed Ge0.9Sn0.1/Ge by nanosecond pulsed laser melting. Applied Surface Science, 2023, 612, pp.155817. ⟨10.1016/j.apsusc.2022.155817⟩. ⟨hal-03885778⟩

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