Two-dimensional carrier profiling on InP:Zn MOVPE epitaxially grown layers by Kelvin Probe Force Microscopy with associated modelling - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Two-dimensional carrier profiling on InP:Zn MOVPE epitaxially grown layers by Kelvin Probe Force Microscopy with associated modelling

Domaines

Optique / photonique Energie électrique Micro et nanotechnologies/Microélectronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03878585

Soumis le : mardi 29 novembre 2022-20:03:52

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-13:29:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03878585 , version 1 (29-11-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03878585 , version 1

Citer

Mattia da Lisca, J Alvarez, J.P. Connolly, Karim Mekhazni, Nicolas Vaissiere, et al.. Two-dimensional carrier profiling on InP:Zn MOVPE epitaxially grown layers by Kelvin Probe Force Microscopy with associated modelling. 23rd international conference on non-contact atomic force microscopy (NCAFM2022), Aug 2022, Niemegen, Netherlands. ⟨hal-03878585⟩

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