Epitaxial growth of detachable GaAs/Ge heterostructure on mesoporous Ge substrate for layer separation and substrate reuse - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Epitaxial growth of detachable GaAs/Ge heterostructure on mesoporous Ge substrate for layer separation and substrate reuse

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03868602 , version 1 (23-11-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03868602 , version 1

Citer

N. Paupy, B. Ilahi, Z.O. Elhmaidi, V. Daniel, T. Hanuš T, et al.. Epitaxial growth of detachable GaAs/Ge heterostructure on mesoporous Ge substrate for layer separation and substrate reuse. PVSC, Jun 2022, Philadelphie, United States. ⟨hal-03868602⟩
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