Nanometer-Scale Ge-Based Adaptable Transistors Providing Programmable Negative Differential Resistance Enabling Multivalued Logic - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue ACS Nano Année : 2021

Nanometer-Scale Ge-Based Adaptable Transistors Providing Programmable Negative Differential Resistance Enabling Multivalued Logic

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Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
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Soumis le : lundi 21 novembre 2022-11:47:33

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hal-03863044 , version 1 (21-11-2022)

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Citer

Masiar Sistani, Raphael Böckle, David Falkensteiner, Minh Anh Luong, Martien I den Hertog, et al.. Nanometer-Scale Ge-Based Adaptable Transistors Providing Programmable Negative Differential Resistance Enabling Multivalued Logic. ACS Nano, 2021, 15 (11), pp.18135-18141. ⟨10.1021/acsnano.1c06801⟩. ⟨hal-03863044⟩

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