Ultrathin Ge epilayers on Si produced by low-temperature PECVD acting as virtual substrates for III-V / c-Si tandem solar cells - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Solar Energy Materials and Solar Cells Année : 2022

Ultrathin Ge epilayers on Si produced by low-temperature PECVD acting as virtual substrates for III-V / c-Si tandem solar cells

Monalisa Ghosh
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
Pavel Bulkin
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
François Silva
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
Erik Johnson
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
CV
Ileana Florea
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
Daniel Funes-Hernando
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
Alexandre Tanguy
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de Mécanique des Solides
Charles Renard
  • Fonction : Auteur
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
Nicolas Vaissiere
Alcatel-Thales III-V Lab
Jean Decobert
  • Fonction : Auteur
Alcatel-Thalès III-V lab
Iván García
Universitat Politècnica de Catalunya = Université polytechnique de Catalogne [Barcelona]
Ignacio Rey-Stolle
Universitat Politècnica de Catalunya = Université polytechnique de Catalogne [Barcelona]
Pere Roca i Cabarrocas
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]
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Soumis le : samedi 19 novembre 2022-23:05:24

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Archivage à long terme le : lundi 20 février 2023-18:46:51

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hal-03861478 , version 1 (19-11-2022)

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Citer

Monalisa Ghosh, Pavel Bulkin, François Silva, Erik Johnson, Ileana Florea, et al.. Ultrathin Ge epilayers on Si produced by low-temperature PECVD acting as virtual substrates for III-V / c-Si tandem solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2022, 236, pp.111535. ⟨10.1016/j.solmat.2021.111535⟩. ⟨hal-03861478⟩

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