Ultrathin Ge epilayers on Si produced by low-temperature PECVD acting as virtual substrates for III-V / c-Si tandem solar cells
Domaines
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Soumis le : samedi 19 novembre 2022-23:05:24
Dernière modification le : mardi 31 mars 2026-03:21:26
Archivage à long terme le : lundi 20 février 2023-18:46:51