High quality single crystal recrystallization of thin 4H-SiC films deposed by PVD techniques, a way for new emerging fields - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

High quality single crystal recrystallization of thin 4H-SiC films deposed by PVD techniques, a way for new emerging fields

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Mihai Lazar  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03856621

Soumis le : mercredi 16 novembre 2022-18:55:20

Dernière modification le : jeudi 16 mai 2024-13:20:04

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Dates et versions

hal-03856621 , version 1 (16-11-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03856621 , version 1

Citer

Elise Usureau, Enora Vuillermet, Mihai Lazar, Aurore Andrieux, Alexandre Jacquemot. High quality single crystal recrystallization of thin 4H-SiC films deposed by PVD techniques, a way for new emerging fields. 19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2022, Sep 2022, Davos, Switzerland. ⟨hal-03856621⟩

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