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Communication Dans Un Congrès Année : 2022

High quality single crystal recrystallization of thin 4H-SiC films deposed by PVD techniques, a way for new emerging fields

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03856621 , version 1 (16-11-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03856621 , version 1

Citer

Elise Usureau, Enora Vuillermet, Mihai Lazar, Aurore Andrieux, Alexandre Jacquemot. High quality single crystal recrystallization of thin 4H-SiC films deposed by PVD techniques, a way for new emerging fields. 19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2022, Sep 2022, Davos, Switzerland. ⟨hal-03856621⟩
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