Etching of the SiGa x N y Passivation Layer for Full Emissive Lateral Facet Coverage in InGaN/GaN Core–Shell Nanowires by MOVPE - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Crystal Growth & Design Année : 2022

Etching of the SiGa x N y Passivation Layer for Full Emissive Lateral Facet Coverage in InGaN/GaN Core–Shell Nanowires by MOVPE

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Soumis le : lundi 14 novembre 2022-10:34:17

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hal-03848820 , version 1 (14-11-2022)

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Julien Bosch, Pierre-Marie Coulon, Sébastien Chenot, Marc Portail, Christophe Durand, et al.. Etching of the SiGa x N y Passivation Layer for Full Emissive Lateral Facet Coverage in InGaN/GaN Core–Shell Nanowires by MOVPE. Crystal Growth & Design, 2022, 22 (9), pp.5206-5214. ⟨10.1021/acs.cgd.2c00286⟩. ⟨hal-03848820⟩

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