Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN Schottky - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN Schottky

Camille Sonneville
Ampère, Département Energie Electrique
Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
CV
Atse Julien Eric N’dohi
Ampère, Département Energie Electrique
Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
S Saidi
  • Fonction : Auteur
Ampère, Département Energie Electrique
Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
T H Ngo
  • Fonction : Auteur
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
P. de Mierry
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
E Frayssinet
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Yvon Cordier
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Luong Viêt Phung
Ampère, Département Energie Electrique
Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
Frédéric Morancho
Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
Karine Isoird
Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
CV
Josiane Tasselli
Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
Hassan Maher
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke]
Dominique Planson
Ampère, Département Energie Electrique
Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
CV

Domaines

Energie électrique
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Dominique Planson  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : mercredi 9 novembre 2022-09:55:38

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:47:06

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Dates et versions

hal-03844887 , version 1 (09-11-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03844887 , version 1

Citer

Camille Sonneville, Atse Julien Eric N’dohi, S Saidi, T H Ngo, P. de Mierry, et al.. Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN Schottky. Conférence Internationale Matériaux, Oct 2022, Lille, France. ⟨hal-03844887⟩

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