Elucidating Postprogramming Relaxation in Multilevel Cell‐Resistive Random Access Memory by Means of Experimental and Kinetic Monte Carlo Simulation Data - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physica Status Solidi A (applications and materials science) Année : 2022

Elucidating Postprogramming Relaxation in Multilevel Cell‐Resistive Random Access Memory by Means of Experimental and Kinetic Monte Carlo Simulation Data

Lucas Reganaz
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Eduardo Esmanhotto
  • Fonction : Auteur
Nazim Ait Abdelkader
  • Fonction : Auteur
Joel Minguet Lopez
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Niccolo Castellani
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Quentin Rafhay
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
Damien Deleruyelle
INL - Dispositifs Electroniques
CV
Laurent Grenouillet
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Francois Aussenac
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Elisa Vianello
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
François Andrieu
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Gabriel Molas
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Damien Deleruyelle  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03840622

Soumis le : samedi 5 novembre 2022-18:59:17

Dernière modification le : mardi 24 septembre 2024-16:46:17

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03840622 , version 1 (05-11-2022)

Identifiants

Citer

Lucas Reganaz, Eduardo Esmanhotto, Nazim Ait Abdelkader, Joel Minguet Lopez, Niccolo Castellani, et al.. Elucidating Postprogramming Relaxation in Multilevel Cell‐Resistive Random Access Memory by Means of Experimental and Kinetic Monte Carlo Simulation Data. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2022, 219 (13), pp.2100753. ⟨10.1002/pssa.202100753⟩. ⟨hal-03840622⟩

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