Rashba–Edelstein Effect in the h‐BN Van Der Waals Interface for Magnetization Switching - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Advanced Materials Année : 2022

Rashba–Edelstein Effect in the h‐BN Van Der Waals Interface for Magnetization Switching

Qidong Xie
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
Weinan Lin
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
Jinghua Liang
  • Fonction : Auteur
Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences
Hengan Zhou
  • Fonction : Auteur
Tsinghua University [Beijing]
Moaz Waqar
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
Ming Lin
  • Fonction : Auteur
Institute of Materials Research and Engineering
Siew Lang Teo
  • Fonction : Auteur
Institute of Materials Research and Engineering
Hao Chen
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
Xiufang Lu
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
Xinyu Shu
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
Liang Liu
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
Shaohai Chen
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
Chenghang Zhou
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
Jianwei Chai
  • Fonction : Auteur
Institute of Materials Research and Engineering
Ping Yang
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
Kian Ping Loh
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
John Wang
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore
Wanjun Jiang
  • Fonction : Auteur
Tsinghua University [Beijing]
Aurelien Manchon
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
Hongxin Yang
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1180900
Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences
Jingsheng Chen
  • Fonction : Auteur
National University of Singapore

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
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Soumis le : mercredi 30 novembre 2022-08:01:27

Dernière modification le : mercredi 13 mars 2024-10:46:15

Archivage à long terme le : mercredi 1 mars 2023-18:03:11

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Dates et versions

hal-03836477 , version 1 (30-11-2022)

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Citer

Qidong Xie, Weinan Lin, Jinghua Liang, Hengan Zhou, Moaz Waqar, et al.. Rashba–Edelstein Effect in the h‐BN Van Der Waals Interface for Magnetization Switching. Advanced Materials, 2022, 34 (33), pp.2109449. ⟨10.1002/adma.202109449⟩. ⟨hal-03836477⟩

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