Development of low-damage plasma process using remote plasma source for the gate opening step in the AlGaN/GaN MOS HEMT integration - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Development of low-damage plasma process using remote plasma source for the gate opening step in the AlGaN/GaN MOS HEMT integration

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Maxime Darnon  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03831336

Soumis le : mercredi 26 octobre 2022-19:26:56

Dernière modification le : mardi 9 juillet 2024-15:43:52

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03831336 , version 1 (26-10-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03831336 , version 1

Citer

Oleh Fesiienko, Camille Petit-Etienne, Maxime Darnon, Ali Soltani, Hassan Maher, et al.. Development of low-damage plasma process using remote plasma source for the gate opening step in the AlGaN/GaN MOS HEMT integration. Plasma Etch and Strip in Microtechnologies, Sep 2022, Leuven, Belgium. ⟨hal-03831336⟩

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