Growth of GaN Si-doped NWs With Lower DensityFor Power Device Applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Growth of GaN Si-doped NWs With Lower DensityFor Power Device Applications

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-03829546

Soumis le : mardi 25 octobre 2022-17:03:44

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-13:21:49

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03829546 , version 1 (25-10-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03829546 , version 1

Citer

M. Benjelloun, T. Sodhi, A. Kunti, L. Travers, A. Soltani, et al.. Growth of GaN Si-doped NWs With Lower DensityFor Power Device Applications. Compound Semiconductor Week 2022, Jun 2022, Ann Arbor, United States. ⟨hal-03829546⟩

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