AlGaN channel high electron mobility transistors on bulk AlN substrate - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

AlGaN channel high electron mobility transistors on bulk AlN substrate

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]
Fichier principal
Vignette du fichier
abstract_IWN_vfinal.pdf (1015.44 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03829060

Soumis le : mardi 25 octobre 2022-15:01:21

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

Archivage à long terme le : vendredi 27 janvier 2023-07:38:46

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-03829060 , version 1 (25-10-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03829060 , version 1

Citer

Jash Mehta, Idriss Abid, Reda Elwaradi, Yvon Cordier, F Medjdoub. AlGaN channel high electron mobility transistors on bulk AlN substrate. International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022, Oct 2022, Berlin, Germany. ⟨hal-03829060⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-COTEDAZUR UNIV-LILLE ANR CRHEA RENATECH
35 Consultations
76 Téléchargements

Partager

More