Combining low trapping effects and high electron confinement in sub-100 nm AlN/GaN HEMTs under high electric field - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Combining low trapping effects and high electron confinement in sub-100 nm AlN/GaN HEMTs under high electric field

S Venkatachalam
  • Fonction : Auteur
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN
Kathia Harrouche
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1135182
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN
François Grandpierron
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN
Stefan Degroote
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1093161
SOITEC
Marianne Germain
  • Fonction : Auteur
SOITEC
Joff Derluyn
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1093160
SOITEC
F Medjdoub
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]
IWN2022_Abstract_Sri final.pdf (345.7 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03829010

Soumis le : mardi 25 octobre 2022-14:51:34

Dernière modification le : mercredi 31 juillet 2024-16:24:03

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-03829010 , version 1 (25-10-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03829010 , version 1

Citer

S Venkatachalam, Kathia Harrouche, François Grandpierron, Stefan Degroote, Marianne Germain, et al.. Combining low trapping effects and high electron confinement in sub-100 nm AlN/GaN HEMTs under high electric field. International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022, Oct 2022, Berlin, Germany. ⟨hal-03829010⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE ANR
52 Consultations
33 Téléchargements

Partager

More