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Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Combining low trapping effects and high electron confinement in sub-100 nm AlN/GaN HEMTs under high electric field

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03829010 , version 1 (25-10-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03829010 , version 1

Citer

S Venkatachalam, Kathia Harrouche, François Grandpierron, Stefan Degroote, Marianne Germain, et al.. Combining low trapping effects and high electron confinement in sub-100 nm AlN/GaN HEMTs under high electric field. International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022, Oct 2022, Berlin, Germany. ⟨hal-03829010⟩
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