[Invited] Local substrate removal for next generation GaN-on-Silicon power transistors
Domaines
Sciences de l'ingénieur [physics]| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
|---|
Communication Dans Un Congrès
Année : 2022
Farid Medjdoub : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03828927
Soumis le : mardi 25 octobre 2022-14:38:37
Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03
Archivage à long terme le : vendredi 27 janvier 2023-07:38:31
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03828927 , version 1
Citer
Youssef Hamdaoui, Idriss Abid, Katir Ziouche, F Medjdoub. [Invited] Local substrate removal for next generation GaN-on-Silicon power transistors. 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM) 2022, Aug 2022, Hiroshima, Japan. ⟨hal-03828927⟩
Collections
41
Consultations
162
Téléchargements