Article Dans Une Revue
ECS Meeting Abstracts
Année : 2012
Julien Cardin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03806454
Soumis le : vendredi 7 octobre 2022-17:52:38
Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-11:46:03
Citer
Larysa Khomenkova, X. Portier, M. Carrada, C. Bonafos, B. Sahu, et al.. Ge-doped Hafnia-based Dielectrics for Non-Volatile Memory Applications. ECS Meeting Abstracts, 2012, MA2012-01 (16), pp.731-731. ⟨10.1149/MA2012-01/16/731⟩. ⟨hal-03806454⟩
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