Influence of filamentation on laser-induced modifications deep inside gallium arsenide - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Influence of filamentation on laser-induced modifications deep inside gallium arsenide

Résumé

The conditions for internal structuring of gallium arsenide are thoroughly investigated using pulses with durations ranging from <200 femtoseconds to ~ 5 nanoseconds. In comparison to silicon, stronger evidence of filamentary modifications is reported.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03800599 , version 1 (06-10-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03800599 , version 1

Citer

Andong Wang, Amlan Das, David Grojo. Influence of filamentation on laser-induced modifications deep inside gallium arsenide. International Conference on Laser Filamentation (COFIL 2022), 2022, Chania, Greece. ⟨hal-03800599⟩
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