Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2008
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https://hal.science/hal-03784657
Soumis le : vendredi 23 septembre 2022-11:26:16
Dernière modification le : mardi 12 août 2025-15:24:05
Citer
W. Guo, B. Cretu, J.-M. Routoure, R. Carin, E. Simoen, et al.. Impact of strain and source/drain engineering on the low frequency noise behaviour in n-channel tri-gate FinFETs. Solid-State Electronics, 2008, 52 (12), pp.1889-1894. ⟨10.1016/j.sse.2008.06.055⟩. ⟨hal-03784657⟩
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