Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2008

Impact of strain and source/drain engineering on the low frequency noise behaviour in n-channel tri-gate FinFETs

W. Guo
  • Fonction : Auteur
B. Cretu
J.-M. Routoure
  • Fonction : Auteur
R. Carin
  • Fonction : Auteur
E. Simoen
  • Fonction : Auteur
A. Mercha
  • Fonction : Auteur
N. Collaert
  • Fonction : Auteur
S. Put
  • Fonction : Auteur
C. Claeys
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03784657 , version 1 (23-09-2022)

Identifiants

Citer

W. Guo, B. Cretu, J.-M. Routoure, R. Carin, E. Simoen, et al.. Impact of strain and source/drain engineering on the low frequency noise behaviour in n-channel tri-gate FinFETs. Solid-State Electronics, 2008, 52 (12), pp.1889-1894. ⟨10.1016/j.sse.2008.06.055⟩. ⟨hal-03784657⟩
46 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

  • More