Fabrication and properties of low-temperature (⩽600 °C) processed n-type nanocrystalline SiC/p-type crystalline Si heterojunction diodes - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2002

Fabrication and properties of low-temperature (⩽600 °C) processed n-type nanocrystalline SiC/p-type crystalline Si heterojunction diodes

S. Kerdiles
  • Fonction : Auteur
A. Berthelot
  • Fonction : Auteur
R. Rizk
  • Fonction : Auteur
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Dates et versions

hal-03776569 , version 1 (13-09-2022)

Identifiants

Citer

S. Kerdiles, A. Berthelot, R. Rizk, L. Pichon. Fabrication and properties of low-temperature (⩽600 °C) processed n-type nanocrystalline SiC/p-type crystalline Si heterojunction diodes. Applied Physics Letters, 2002, 80 (20), pp.3772-3774. ⟨10.1063/1.1480474⟩. ⟨hal-03776569⟩
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