State creation induced by gate bias stress in unhydrogenated polysilicon TFTs - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 1999

State creation induced by gate bias stress in unhydrogenated polysilicon TFTs

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Laurent Pichon  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03776563

Soumis le : mardi 13 septembre 2022-20:55:21

Dernière modification le : mardi 8 octobre 2024-10:28:03

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Dates et versions

hal-03776563 , version 1 (13-09-2022)

Identifiants

Citer

B. Tala-Ighil, A. Rahal, K. Mourgues, A. Toutah, L. Pichon, et al.. State creation induced by gate bias stress in unhydrogenated polysilicon TFTs. Thin Solid Films, 1999, 337 (1-2), pp.101-104. ⟨10.1016/S0040-6090(98)01192-4⟩. ⟨hal-03776563⟩

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